[40]
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"단위 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 셀 어레이",
2020-12-30. (등록번호: KR 1021991430000) |
[39]
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"초저전압 메모리 장치 및 그 동작 방법",
2019-09-06. (등록번호: KR 1020216010000) |
[38]
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"반도체 메모리 장치",
2017-02-03. (등록번호: KR 1017051720000) |
[37]
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"SRAM",
2012-05-25. (등록번호: KR 1011525240000) |
[36]
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"반도체 메모리 소자",
2011-05-09. (등록번호: KR 1010351740000) |
[35]
|
"고효율 승압회로",
2009-10-08. (등록번호: KR 1009219120000) |
[34]
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"표준 로직 공정용 승압회로",
2009-08-03. (등록번호: KR 1009113730000) |
[33]
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"이중 승압 셀 바이어스 기법을 이용한 스태틱 램",
2007-10-02. (등록번호: KR 1007654390000) |
[32]
|
"피형 금속 산화막 반도체 게이팅 셀을 이용한 강유전체 메모리",
2007-05-02. (등록번호: KR 1007159790000) |
[31]
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"Boosting circuit of semiconductor
memory device", 2003-09-02. (등록번호: US
6614292) |
[30]
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"Ferroelectric memory with bit-plate
parallel architecture and operating method
thereof", 2003-03-25. (등록번호: US 6538914) |
| [29] |
"반도체 메모리 장치의 부스팅 회로", 2002-05-17.
(등록번호: KR 1003385480000) |
[28]
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"강유전체 메모리 셀들을 구비한 불휘발성 메모리 장치",
2001-08-14. (등록번호: KR 1003068230000) |
[27]
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"온-칩 테스트 회로를 구비한 강유전체 메모리장치",
2001-07-07. (등록번호: KR 1003030560000) |
| [26] |
"具有晶片上測試電路的鐵電記憶體元件 ", 2001-05-28.
(등록번호: TW 436785) |
[25]
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"Methods of operating ferroelectric
memory devices having reconfigurable bit lines",
2001-04-10. (등록번호: US 6215693) |
[24]
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"Variable test voltage circuits and
methods for ferroelectric memory devices",
2000-08-25. (등록번호: US 6055200) |
[23]
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"Methods of operating ferroelectric
memory devices having reconfigurable bit lines",
2000-08-01. (등록번호: US 6097624) |
[22]
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"Ferroelectric random access memory
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2000-07-11. (등록번호: US 6088257) |
| [21] |
"鐵電記憶體裝置與其資料保護方法", 2000-07-11.
(등록번호: TW 397981) |
| [20] |
"鐵電隨機存取記憶體元件及其操作方法", 2000-06-21.
(등록번호: TW 394943) |
[19]
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"オン－チップテスト回路を備えた强 誘電體メモリ裝置", 2000-05-30.
(등록번호: JP 2000149596) |
[18]
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"강유전체 메모리장치 및 그것의 데이터 보호 방법",
2000-02-17. (등록번호: KR 1002559560000) |
[17]
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"Non-volatile ferroelectric memory
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"具有區段板線驅動器之非揮發性鐵電記憶體及其資料存取方法",
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"Ferroelectric memory devices having
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[14]
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"강유전체 랜덤 엑세스 반도체 메모리장치 및 그 동작 방법",
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"Ferroelectric memory device and data
protection method thereof", 1999-08-24.
(등록번호: US 5943257) |
| [12] |
"불휘발성 강유전체 메모리장치 및 그의 구동방법", 1999-07-15.
(등록번호: KR 1002246730000) |
| [11] |
"불휘발성 반도체 메모리장치", 1999-07-05.
(공개번호: KR 1019990047442) |
| [10] |
"强誘電體メモリ裝置及びそのデㅡタ保護方法", 1999-03-30.
(등록번호: JP 11086566) |
| [09] |
"고속동작을 위한 감지증폭 회로", 1999-03-15.
(공개번호: KR 1019990018933) |
| [08] |
"不揮發性メモリ裝置及びその記入方法", 1998-12-22.
(등록번호: JP 10340588) |
[07]
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"强誘電體ランダムアクセス半導體メモリ裝置及びその動作方法",
1998-09-25. (등록번호: JP 10255484) |
[06]
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"강유전체 반도체 메모리장치의 기준전압 발생회로", 1998-08-17.
(공개번호: KR 1019980040804) |
| [05] |
"不揮發性强誘電體メモリ裝置及びその驅動方法", 1998-07-21.
(등록번호: JP 10188575) |
[04]
|
"Nichtfluechtiges ferroelektrisches
speicherbauelement und ansteuerverfahren hierfuer",
1998-06-18. (등록번호: DE 19732694) |
| [03] |
"A nonvolatile ferroelectric memory
device", 1998-06-17. (등록번호: GB 2320377) |
[02]
|
"전압승압회로를 이용한 스태틱 램의 데이터 출력 구동기",
1998-05-06. (등록번호: KR 1002117640000) |
| [01] |
"非依電性鐵電記憶體元件及其驅動方法", 1998-03-21.
(등록번호: TW 328589) |
